SAMCO RIE-400ip for Group III-V only

本系統為「非等向性乾式蝕刻機」,具有下列特性:
(1) 具有能夠蝕刻GaN具高準值性(>85°),蝕刻率> 0.3 μm/min.。
(2) 滿足破片與最大4吋的III-V族晶圓蝕刻需求。
(1) 蝕刻材料:GaN,InAlGaN,InPGaN(除Ni外不允許含其他金屬材料)
(2) 使用氣體:Cl2、BCl3、SiCl4、Ar
(3) 遮罩材料:光阻、SiO2、Ni、Si3N4
| 設備名稱 / 服務項目 | 清大 | 其他學界 | 業界 | ||
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感應耦合電漿式離子蝕刻機(ICP-400iP)(III-V) |
委託代工 |
代工費 |
4,000元/時 |
6,000元/時 |
8,000元/時 |
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自行操作 |
開機費(1hr) |
1,600元/次 |
暫不開放 |
暫不開放 |
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超時費 |
400元/刻鐘 |
暫不開放 |
暫不開放 |
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