本中心製程機台新增「電漿反應離子蝕刻系統（RIE）」，歡迎多加利用

一、 廠牌與型號 : CNT-RPA08

二、用途：蝕刻Silicon base為主。

三、重要規格

• RF Power：50~300W,13.56 MHz。
• Gas：CF4、SF6、CHF3、O2、Ar。
• Main pump: Turbo pump
• Process pressure：5~300 mTorr。

※注意事項

• 蝕刻試片尺寸：1*1 cm² ~ full 6吋wafer。
• Etching mask：PR、Silicon oxide、Silicon nitride、Cr、Al
• wafer結構中不可含有Au, Cu, Pt, Fe, Co, Ni等汙染性材料及其氧化物。

聯絡窗口：宋明穎先生 直撥電話：03-5742290 (校內分機：42290)  e-mail：sungmy@mx.nthu.edu.tw