原子層化學氣相沉積系統(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition System)

儀器說明

一、 廠牌與型號：

ALCVD-2003，CUSEM(中華聯合半導體)

二、用途

超薄Hf、Zr氧化物薄膜沉積<10 nm

三、重要規格

四元氧化物、氮化物薄膜沉積︰Hf、Zr、Al、La
試片平台︰4 inch
沉積溫度<700°C
氧化、氮化氣氛︰O2、H2O、NH3
載流氣氛︰N2、Ar
600W平行電容式電漿

注意事項：

本儀器只開放一週兩天的委託操作

四、服務項目及收費標準

   

設備名稱 / 服務項目

四校

其他學界

業界

原子層化學氣相沉積系統（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition System）

委託代工

開機費(2hr)

3,400元/次

5,100元/次

6,800元/次

代工費

1,700元/時

2,550元/時

3,400元/時

自行操作

設備

使用費

暫不開放

前趨物

使用費

Al2O3：1000元/nm

HfO2：1000元/nm

五、負責人員：
聯絡人
聯絡人
負責教授 林樹均教授
Tel 03-5715131-42620