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未來發展

近程

  1. 奈米壓印技術持續推廣:
    本中心仍舊將持續結合奈米壓印技術來製作光子晶體的技術,並且配合OLED增加發光效率與OTFT的發展,持續研究將成本降低與提升效率。
  2. 奈米機電:
    本中心擁有之兩台乾式深蝕刻設備:一台著重於矽晶圓方面,協助發展奈米機電於各種感測器。另一台因應III-V的奈米機電元件的發展前景,協助III-V元件技術的發展。
  3. 先進製程:
    FIB(聚焦離子束電子束掃描式顯微鏡系統),可以減少切割樣品時造成原子層的損傷,這將有助於研究化合物結構中各原子的排列,並可以協助metamaterial與plasmon元件的製作。
  4. 高功率雷射的研發:
    與廠商合作開發大於10瓦的高功率 808 nm 雷射及高功率電子元件等。

長程展望

  • 「清華實驗室」為不分院、系、所之全校性研究大樓,以組織跨領域研究團隊為興建目標。本中心進駐後,將持續負責推動以應用科技為導向,以學術卓越與前瞻產業技術為目標之奈米材料/元件/系統整合科技的尖端研究發展工作。
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