金屬反應離子蝕刻系統（Metal RIE-200L）
儀器說明
一、 廠牌與型號：
Samco
![]](/var/file/188/1188/img/251/mrie200l.jpg) |
二、用途
金屬蝕刻（以Al為主）及氮化物（AlN, TiN, TaN等）for 4", 6", 8" silicon wafer
三、重要規格
RF Power: 0~250 W, 13.56 MHz
Gas: N2, O2, CF4, Ar, BCl3, Cl2
Main pump: Turbo pump
Ultimate pressure: 10-4 Pa
Process Pressure: 1.33~25 Pa
四、注意事項：
送件時請詳細註明欲蝕刻之種類及厚度，並於代工申請單上畫出wafer剖面圖
1. 200L不開放鐵、鈷、鎳等磁性材料與銅、金進Chamber。
2. 製程參數RF最大限制在250W以下操作，若進行高功率製程造成機台
損害，由User實驗室賠償維修金額。
3. 開放進行durty process將會造成製程條件不穩定性增高，若發生不穩定
參數條件，奈材中心將不負任何製程上的保證。
五、服務項目及收費標準
| 設備名稱 / 服務項目 | 清大 | 其他學界 | 業界 | ||
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金屬反應離子蝕刻系統（Metal RIE-200L） |
委託代工 |
開機費(2hr) |
3,200元/次 |
4,800元/次 |
6,400元/次 |
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超過開機時間 加收費 |
1,600元/時 |
2,400元/時 |
3,200元/時 |
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自行操作 |
開機費(2hr) |
2,400元/次 |
3,600元/次 |
4,800元/次 |
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超過2hr 每15分鐘加收 |
300元/刻鐘 |
450元/刻鐘 |
600元/刻鐘 |
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六、操作手冊
七、代工申請表
代工交件、取件統一窗口為 林瑟蘭 小姐，送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後，送件至中心 林小姐
八、機台即時訊息
九、負責人員