介電層反應離子蝕刻系統（Dielectric RIE-10NR）
儀器說明
一、 廠牌與型號：
Samco
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二、用途
Etch Si3N4, Poly-Si, SiO2 on 4", 6", 8" silicon wafer
三、重要規格
RF Power: 0~300 W, 13.56 MHz
Gas: SF6, CHF3, CF4, O2
Main pump: Turbo pump
Ultimate pressure: 10-4 Pa
Process pressure: 1.33~25 Pa
四、注意事項：
wafer結構中不可含有Au, Cu, Ni, Fe, Pt及其oxide
送件時請詳細註明欲蝕刻之種類及厚度，並於代工申請單上繪畫wafer剖面圖
五、服務項目及收費標準
| 設備名稱 / 服務項目 | 清大 | 其他學界 | 業界 | ||
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介電層反應離子蝕刻系統（Dielectric RIE-10NR） |
委託代工 |
開機費(2hr) |
3,000元/次 |
4,500元/次 |
6,000元/次 |
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超過開機時間 加收費 |
1,500元/時 |
2,000元/時 |
3,000元/時 |
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自行操作 |
開機費(2hr) |
2,000元/次 |
2,800元/次 |
4,000元/次 |
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超過2hr 每15分鐘加收 |
250元/刻鐘 |
350元/刻鐘 |
500元/刻鐘 |
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六、操作手冊
七、代工申請表
代工交件、取件統一窗口為 林瑟蘭 小姐，送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後，送件至中心 林小姐
八、機台即時訊息
九、負責人員