SPTS LPX Pegasus

本系統為「非等向性乾式矽蝕刻機」，具有下列特性：

(1)  具有高深寬比特性及能夠蝕刻單晶矽或多晶矽。

(2)  滿足4吋與6吋矽晶圓的蝕刻需求。(6吋暫不受理)

(3)  具備Through Wafer矽蝕刻的特性，可提供需要大質量塊的奈微元件所需。

(4)  最小蝕刻線距(Trench)達到4μm。

(5)  達成蝕刻側邊粗糙度的平滑化，以減小蝕刻部分的表面粗糙度或Scalloping (Sidewall Scallop<150nm)。

(6)  光阻與矽的蝕刻比大於25，以實現更小的線寬、線距，而達成高解析度製程之需求。

(7)  蝕刻輪廓垂直於晶圓面，誤差小於正負1度，以減少元件運作時的誤差。

(8)  晶圓蝕刻的Uniformity小於正負5%。

(1)  蝕刻材料：Si wafer（不允許含金屬材料）

(2)  使用氣體：SF₆、C₄H₈、O₂

(3)  遮罩材料：正光阻、SiO₂

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