電漿輔助化學氣相沈積系統SAMCO（PECVD System）
儀器說明
一、 廠牌與型號：
Samco/ PD10st
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二、用途
沈積TEOS-Oxide ；SiO2 (SiH4 + N2O)；Si3N4 (SiH4 + NH3)
三、重要規格
- Wafer size: 4" (uniformity <5%) ~ 6" silicon wafer
- Process pressure: 0.4~0.6 torr
- Temperature: < 300 ℃
- Film thickness constrain: TEOS-Oxide: < 5 μm; SiON: < 1 μm; SiO2: < 1 μm; Si3N4: < 1 μm
- Uniformity : < 5 %
- 破片必須大於2*2平方公分
- 含金屬之結構不得進入( Al 除外)，如造成污染須賠償清洗及相關費用
- 如製程特殊請先向管理者申請
四、服務項目及收費標準
| 設備名稱 / 服務項目 | 清大 | 其他學界 | 業界 | ||
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電漿輔助化學氣相沈積系統SAMCO（PECVD System） |
委託代工 |
開機費(2hr) |
3,000元/次 |
4,500元/次 |
6,000元/次 |
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超過開機時間 加收費 |
1,500元/時 |
2,000元/時 |
3,000元/時 |
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自行操作 |
開機費(2hr) |
1,600元/次 |
2,400元/次 |
3,200元/次 |
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超過2hr 每15分鐘加收 |
200元/刻鐘 |
300元/刻鐘 |
400元/刻鐘 |
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五、操作手冊
六、代工申請表
代工交件、取件統一窗口為 林瑟蘭 小姐，送代工前請先向機台負責人連繫 ( 電話或電郵 ) 確認後，送件至中心 林小姐
七、機台即時訊息
八、負責人員