原子層化學氣相沉積系統(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition System)
儀器說明
一、 廠牌與型號：
ALCVD-2003，CUSEM(中華聯合半導體)
二、用途
三、重要規格
四元氧化物、氮化物薄膜沉積︰Hf、Zr、Al、La
試片平台︰4 inch
沉積溫度<700°C
氧化、氮化氣氛︰O2、H2O、NH3
載流氣氛︰N2、Ar
600W平行電容式電漿
注意事項：
本儀器只開放一週兩天的委託操作
四、服務項目及收費標準
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設備名稱 / 服務項目 |
四校 |
其他學界 |
業界 |
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原子層化學氣相沉積系統（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition System） |
委託代工 |
開機費(2hr) |
3,400元/次 |
5,100元/次 |
6,800元/次 |
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代工費 |
1,700元/時 |
2,550元/時 |
3,400元/時 |
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自行操作 |
設備 使用費 |
暫不開放 |
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前趨物 使用費 |
Al2O3：1000元/nm HfO2：1000元/nm |
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五、負責人員：
聯絡人