本中心製程機台「電漿輔助化學氣相沉積系統（PECVD）」重新開放使用了，歡迎多加利用

一、廠牌與型號 : Samco PD-220N

二、用途

沈積SiO₂ (SiH₄ + N₂O)；Si₃N₄ (SiH₄ + NH₃+N₂) ；TEOS-Oxide(僅提供代工)  。

三、重要規格

• Wafer size:破片~ 4" silicon wafer。(超過4吋請先與管理者討論)
• RF Power: <200W
• Temperature: < 300 ℃。
• Uniformity : < 5 %。